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| 厚栅n-和n-LDMOSFET高压输出电路 | |
| 引用本文： | 黄义定,王卓,于宗光,李鉴.厚栅n-和n-LDMOSFET高压输出电路[J].微计算机信息,2008,24(26). |
| 作者姓名： | 黄义定 王卓 于宗光 李鉴 |
| 基金项目： | 江苏省自然科学基金(BK2007026)系统集成芯片(SOC)中IIP模块的设计与验证方法研究;南阳师范学院高层次人才科研启动费资助 |
| 摘 要： | 对于PDP(plasma display panels)驱动集成电路,为了减小芯片面积和提高开关速度而提出了一种厚栅LDMOSFET(lateral double diffused MOSFETs)这种新颖的高压输出电路.同常规的电路相比,在同样的下降时间下,利用所提出的输出电路,PDP驱动集成电路的芯片面积减少了35%;在同样的芯片面积下,当电源电压为180V,负载电容为100pF时,所提出的输出电路的下降时间比常规的的电路要快2.5倍. |
| 关 键 词： | 高压输出电路 驱动能力 下降时间厚栅 |
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