首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
     

SiO2基底表面VO2薄膜的生长模式及相变性能分析
引用本文:岳 芳,黄婉霞,施奇武,邓贤进,王 成,张敬雨,李丹霞.SiO2基底表面VO2薄膜的生长模式及相变性能分析[J].稀有金属材料与工程,2014,43(8):1955-1958.
作者姓名:岳 芳  黄婉霞  施奇武  邓贤进  王 成  张敬雨  李丹霞
作者单位:四川大学,四川 成都 610064,四川大学,四川 成都 610064,四川大学,四川 成都 610064,中国工程物理研究院,四川 绵阳 621900,中国工程物理研究院,四川 绵阳 621900,四川大学,四川 成都 610064,四川大学,四川 成都 610064
基金项目:国家自然科学基金项目 (61271075);中物院-四川大学协同创新联合基金 (0082604132225)
摘    要:采用无机溶胶-凝胶法在二氧化硅基底上制备不同厚度的二氧化钒薄膜,通过X射线光电子能谱、X射线衍射和场发射扫描电子显微镜分析薄膜的化学组成和微观结构,并利用变温傅里叶变换红外光谱对薄膜在红外波段的相变性能进行检测。结果发现:薄膜均沿(110)晶面择优生长;随厚度增加,其结晶度提高,表面晶粒明显增大,大小分布越不均匀,并导致薄膜在红外波段的低温和高温透过率均降低,滞后温宽变窄,相变陡然性增强。

关 键 词:二氧化钒薄膜  二氧化硅基底  溶胶凝胶  微观结构  相变性能
收稿时间:2013/8/21 0:00:00
本文献已被 CNKI 等数据库收录!
点击此处可从《稀有金属材料与工程》浏览原始摘要信息
点击此处可从《稀有金属材料与工程》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号