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| 硅体费米势在( 300～600 K) 宽温区温度特性的研究 | |
| 引用本文： | 杨国勇,宋安飞,冯耀兰.硅体费米势在( 300～600 K) 宽温区温度特性的研究[J].电子器件,2001,24(4):314-317. |
| 作者姓名： | 杨国勇 宋安飞 冯耀兰 |
| 作者单位： | 东南大学微电子中心, |
| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目 (批准号 :6 9736 0 2 0 ) |
| 摘 要： | 本文首先简要分析了MOSFET阈值电压随温度的变化率，讨论了影响阈值电压温度特性的主要因素－－体费米势的温度特性，最后给出了一种比较精确的线性拟合模型，并进行了模拟验证。 |
| 关 键 词： | 体费米势 温度特性 硅 宽温区 |
| 文章编号： | 1005-9490(2001)04-0314-04 |
| 修稿时间： | 2001年5月9日 |
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