| 溶胶-凝胶法制备掺镉ZnO薄膜及光学禁带研究 |
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| 引用本文： | 陈瀚. 溶胶-凝胶法制备掺镉ZnO薄膜及光学禁带研究[J]. 压电与声光, 2011, 33(4) |
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| 作者姓名： | 陈瀚 |
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| 作者单位： | 四川机电职业技术学院,四川攀枝花,617000 |
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| 摘 要： | 主要研究掺镉ZnO薄膜的光学禁带。采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)旋转涂覆法,在Si(100)上生长掺镉ZnO薄膜,对薄膜的XRD分析表明,掺镉ZnO薄膜仍为六角纤锌矿结构,并沿c轴择优取向生长。通过实验优化出本工艺条件下的较佳参数:退火温度为800℃,x(Cd)=6%~8%;以普通玻璃为基片的透射光谱表明掺镉ZnO薄膜的禁带宽度约为3.22 eV,比纯ZnO晶体禁带宽度3.30 eV明显减小,适度掺镉可降低薄膜的光学禁带宽度。
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| 关 键 词： | 掺镉ZnO薄膜 溶胶-凝胶法 透射光谱 光学禁带 |
The Preparation of Cd-doped ZnO Thin Films by Sol-Gel Technique and Its Optical Bandgap Investigation |
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| CHEN Han. The Preparation of Cd-doped ZnO Thin Films by Sol-Gel Technique and Its Optical Bandgap Investigation[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2011, 33(4) |
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| Authors: | CHEN Han |
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| Affiliation: | CHEN Han(Sichuan Electromechanical Vocational and Technical Institute,Panzhihua 617000,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Cd-doped ZnO thin film Sol-Gel photoluminescnce spectra optical bandgap |
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