| ZnS作为空穴缓冲层的新型有机发光二极管 |
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| 引用本文： | 仲飞,叶勤,刘彭义,翟琳,吴敬,张靖垒.ZnS作为空穴缓冲层的新型有机发光二极管[J].发光学报,2006,27(6):877-881. |
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| 作者姓名： | 仲飞 叶勤 刘彭义 翟琳 吴敬 张靖垒 |
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| 作者单位： | 暨南大学,物理系,广东,广州,510632 |
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| 基金项目： | 广东省自然科学基金资助项目(06025173) |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管(OLEDs)的缓冲层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/Al)的OLEDs的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5nm时,器件电流密度提高了近2倍,亮度提高了2倍;当ZnS缓冲层厚度为10nm时,器件发光的电流效率提高18%,器件的性能得到改善。宽禁带的ZnS缓冲层对空穴从阳极到有机功能层的注入有阻碍作用,促进器件载流子平衡,提高了器件发光效率,改善了器件性能。
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| 关 键 词： | 有机发光二极管 ZnS超薄膜 空穴缓冲层 电流效率 |
| 文章编号： | 1000-7032（2006）06-0877-05 |
| 收稿时间： | 2005-11-10 |
| 修稿时间： | 2006-01-17 |
Organic Light-emitting Diodes with Nano-ZnS Thin Films as Hole Buffer Layer by RF Magnetron Sputtering |
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| ZHONG Fei,YE Qin,LIU Peng-yi,ZHAI Lin,WU Jing,ZHANG Jing-lei.Organic Light-emitting Diodes with Nano-ZnS Thin Films as Hole Buffer Layer by RF Magnetron Sputtering[J].Chinese Journal of Luminescence,2006,27(6):877-881. |
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| Authors: | ZHONG Fei YE Qin LIU Peng-yi ZHAI Lin WU Jing ZHANG Jing-lei |
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| Affiliation: | Department of Physics, Jinan University, Guangzhou 510632, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | OLEDs ZnS thin film hole buffer layer current efficiency |
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