| 碳化硅MOSFET器件特性的研究 |
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| 引用本文： | 钟志远,秦海鸿,朱梓悦,袁源,余忠磊.碳化硅MOSFET器件特性的研究[J].电气自动化,2015,37(3):44-45,67. |
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| 作者姓名： | 钟志远 秦海鸿 朱梓悦 袁源 余忠磊 |
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| 作者单位： | 南京航空航天大学自动化学院电气工程系,江苏南京,210016 |
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| 基金项目： | 教育部博士点基金资助项目(20123218120017);中央高校基本科研业务费专项资金;南京航空航天大学研究生创新基地(实验室)开放基金资助(kfjj20130213) |
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| 摘 要： | 由于材料性能的不同,碳化硅MOSFET与硅MOSFET在电气特性方面存在一些显著差异,不能简单地将硅MOSFET直接替换为碳化硅MOSFET。为了准确地掌握碳化硅MOSFET在实际应用中的工作特性,利用双脉冲测试电路对器件特性进行了研究,重点对通态特性和开关特性进行了分析、总结,实验结果可对基于碳化硅MOSFET的变换器优化设计提供指导。
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| 关 键 词： | 碳化硅 双脉冲测试 MOSFET 开关特性 通态特性 |
A Study on the Characteristics of SiC MOSFET Devices |
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| ZHONG Zhi-yuan
,
QIN Hai-hong
,
ZHU Zi-yue
,
YUAN Yuan
,
YU Zhong-lei.A Study on the Characteristics of SiC MOSFET Devices[J].Electrical Automation,2015,37(3):44-45,67. |
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| Authors: | ZHONG Zhi-yuan QIN Hai-hong ZHU Zi-yue YUAN Yuan YU Zhong-lei |
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| Affiliation: | ZHONG Zhi-yuan;QIN Hai-hong;ZHU Zi-yue;YUAN Yuan;YU Zhong-lei;Department of Electrical Engineering of Automation College,Nanjing University of Aeronautics and Astronautics; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC double pulse test MOSFET switching characteristic on-state characteristic |
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