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| 高隔离度X波段RF MEMS电容式并联开关 | |
| 引用本文： | 张理,姚军,王大甲,饶青,钟洪声.高隔离度X波段RF MEMS电容式并联开关[J].微纳电子技术,2008,45(6):342-346. |
| 作者姓名： | 张理 姚军 王大甲 饶青 钟洪声 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院光电技术研究所,微细加工光学技术国家重点实验室,成都,610209;电子科技大学,成都,610054 2. 中国科学院光电技术研究所,微细加工光学技术国家重点实验室,成都,610209 3. 电子科技大学,成都,610054 |
| 基金项目： | 中国科学院百人计划创新基金 |
| 摘 要： | 研究了一种新型的、应用于X波段的高隔离度RF MEMS电容式并联开关结构。相比于普通的并联结构,该开关通过共面波导(CPW)传输线与地平面之间的衬底刻槽结构将隔离度提高了7dB,关态时在13.5GHz谐振频率处的隔离度为-54.6dB,执行电压为26V。弹簧梁结构开关的执行电压下降为14V,在11GHz处其隔离度为-42.8dB。通过两个并联开关级联与开关间的高阻传输线构成的π型调谐开关电路,在11.5GHz处的隔离度为-81.6dB。 |
| 关 键 词： | 射频微机电系统 开关 隔离度 X波段 衬底刻槽 |
High Isolation X-Band RF MEMS Capacitive Shunt Switches |
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| Zhang Li,Yao Jun,Wang Dajia,Rao Qing,Zhong Hongsheng.High Isolation X-Band RF MEMS Capacitive Shunt Switches[J].Micronanoelectronic Technology,2008,45(6):342-346. | |
| Authors: | Zhang Li Yao Jun Wang Dajia Rao Qing Zhong Hongsheng |
| Affiliation: | Zhang Li1,2,Yao Jun1,Wang Dajia1,Rao Qing2,Zhong Hongsheng2(1.State Key Lab of Optical Technologies for Microfabrication,Institute of Optics , Electronics,Chinese Academy of Sciences,Chengdu 610209,China,2.University of Electronic Science , Technology of China,Chengdu 610054,China) |
| Abstract: | A novel high isolation RF MEMS shunt capacitive switch for X-band application was presented.Compared with that of conventional RF MEMS shunt switches,the designed grooves etched into the substrate improve the isolation performance by 7 dB.The down-state isolation reaches -54.6 dB at the resonate frequency of 13.5 GHz and an actuation voltage of 26 V is obtained.Serpentine folded suspension was implemented in the switch to achieve an actuation voltage of 14 V and isolation of -42.8 dB at 11 GHz.A double-brid... |
| Keywords: | RF MEMS switch isolation X band groove |
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