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硅基红外信平面阵列技术的新进展(Ⅱ)
引用本文:
程开富.硅基红外信平面阵列技术的新进展(Ⅱ)[J].半导体情报,1998,35(1):29-34.
作者姓名:
程开富
摘 要:
主要介绍以硅为衬底的PbS,PbSe,PbTe,PbSnSe,HgCdTe,InSb等红外探测器焦平面阵列的新进展。
关 键 词:
红外探测器
硅衬底
缓冲层
红外焦平面阵列
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