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应变对PbSe材料晶格振动的影响
引用本文:曹春芳,吴惠桢,徐天宁,斯剑霄,陈静,沈文忠.应变对PbSe材料晶格振动的影响[J].半导体学报,2007,28(Z1):103-106.
作者姓名:曹春芳  吴惠桢  徐天宁  斯剑霄  陈静  沈文忠
作者单位:曹春芳(浙江大学物理系,固体电子材料物理与器件实验室,杭州,310027;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050);吴惠桢(浙江大学物理系,固体电子材料物理与器件实验室,杭州,310027);徐天宁(浙江大学物理系,固体电子材料物理与器件实验室,杭州,310027);斯剑霄(浙江大学物理系,固体电子材料物理与器件实验室,杭州,310027);陈静(上海交通大学物理系,上海,200030);沈文忠(上海交通大学物理系,上海,200030)
基金项目:国家自然科学基金资助项目(批准号;10434090)
摘    要:在晶格失配的BaF2衬底上用分子束外延技术生长了不同厚度的PbSe单晶薄膜,PbSe外延薄膜的喇曼光谱测量到位于136~143cm-1之间的布里渊区中心纵光学声子(LO)振动,位于83~88cm-1之间的纵光学声子与横光学声子的耦合模(LO-TO)振动,以及位于268~280cm-1之间的2LO声子振动.而且PbSe薄膜的LO声子频率随薄膜厚度的不同明显移动,随着薄膜的厚度减小声子频率线性增大,这是由外延膜与衬底之间的失配应力不同引起的.为了理解PbSe声子振动模喇曼活性的物理原因,还比较分析了PbSe体单晶的喇曼光谱,同样,PbSe体单晶样品也呈现出喇曼活性的散射峰.

关 键 词:PbSe外延薄膜  喇曼光谱  光学声子
文章编号:0253-4177(2007)S0-0103-04
修稿时间:2006年11月30

Effect of Strain on the Lattice Vibrational Properties of PbSe
Abstract:
Keywords:
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