| LaNiO3缓冲层对化学溶液法制备的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3薄膜的结构与电学性能的影响 |
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| 引用本文： | 刘爱云.LaNiO3缓冲层对化学溶液法制备的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3薄膜的结构与电学性能的影响[J].人工晶体学报,2008,37(2):422-426. |
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| 作者姓名： | 刘爱云 |
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| 作者单位： | 上海师范大学物理系,上海,200234 |
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| 基金项目： | 上海市教委资助项目
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上海市高校优秀青年教师后备人选科研项目 |
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| 摘 要： | 采用化学溶液法在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了92;Pb(Mg1/3/Nb2/3)O3-8;PbTiO3(PMNT)薄膜,对于在衬底上引入缓冲层LaNiO3(LNO)和没有引入缓冲层LNO所制备的PMNT薄膜结构及电学性能进行了比较和研究.x射线衍射测试结果表明:直接在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上所制备的PMNT薄膜含有大量的烧绿石相,且薄膜呈现高度的(111)择优取向;而当在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上引入LNO缓冲层后,所制备的PMNT薄膜是纯钙钛矿相,且薄膜呈现(100)择优取向.通过铁电和介电性能测试表明:当在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上引入缓冲层LNO后,所制备的PMNT薄膜的剩余极化和介电常数也都得到了较大提高.
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| 关 键 词： | LNO缓冲层 PMNT薄膜 烧绿石相 |
| 文章编号： | 1000-985X(2008)02-0422-05 |
| 修稿时间： | 2007年9月10日 |
Effect of LaNiO2 Buffer Layer on the Structure and Electrical Properties of Pb ( Mg1/3Nb2/3 ) O3-PbTiO3 Thin Films Deposited by Chemical Solution Method |
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| LIU Ai-yun.Effect of LaNiO2 Buffer Layer on the Structure and Electrical Properties of Pb ( Mg1/3Nb2/3 ) O3-PbTiO3 Thin Films Deposited by Chemical Solution Method[J].Journal of Synthetic Crystals,2008,37(2):422-426. |
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| Authors: | LIU Ai-yun |
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