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| SiOx调制的三元硅化物(C01-xNix)Si2外延 | |
| 引用本文： | 韩永召,李炳宗,茹国平,屈新萍,曹永峰,徐蓓蕾,蒋玉龙,王连卫,张荣耀,朱剑豪.SiOx调制的三元硅化物(C01-xNix)Si2外延[J].半导体学报,2001,22(10). |
| 作者姓名： | 韩永召 李炳宗 茹国平 屈新萍 曹永峰 徐蓓蕾 蒋玉龙 王连卫 张荣耀 朱剑豪 |
| 作者单位： | 1. 复旦大学电子工程系, 2. 中国科学院上海冶金研究所 3. 香港中文大学电子工程和材料科学与技术研究中心 4. 香港城市大学物理和材料科学系 |
| 摘 要： | 报道了通过Co/Ni/SiOx/Si(100)体系固相反应,实现三元硅化物(Co1xNix)Si2薄膜外延生长及薄膜特性的表征.测试结果表明,中间氧化硅层对原子扩散起到阻挡作用.XRD和RBS图谱显示,有中间层的样品所形成的硅化物膜和硅衬底有良好的外延关系.而Co/Ni/Si(100)体系,则形成多晶硅化物膜,和硅衬底没有外延关系.外延三元硅化物(Co1-xNix)Si2膜的晶格常数介于CoSi2和NiSi2之间,从而可以降低生成膜的应力.薄膜的厚度约为110nm;最小沟道产额(Xmin)为22%.外延三元硅化物膜的电阻率约为17μΩ@cm;高温稳定性达1000C,与CoSi2膜相当. |
| 关 键 词： | 三元硅化物 固相反应 外延 |
SiOx Mediated Epitaxial Ternary Silicide (Co1-xNix)Si2 |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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