| 提高晶闸管结温的途径 |
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| 引用本文： | 李漫,项建华.提高晶闸管结温的途径[J].半导体技术,2005,30(12):57-59. |
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| 作者姓名： | 李漫 项建华 |
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| 作者单位： | 阜新嘉隆电子有限公司,辽宁,阜新,123000 |
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| 摘 要： | 探讨了在半导体晶闸管(SCR)制造过程中,采用合理的工艺手段,选用最低电阻率的单晶、偏长的基区、阴极加短路环、短路点,使小电流a2为零,经过严格的斜边清洗与钝化,使SCR最高工作结温尽量达到理论值.
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| 关 键 词： | 晶闸管 结温 雪崩 短路点 晶闸管 最高工作结温 Thyristor Temperature Junction Improving 理论值 小电流 短路点 短路环 阴极 单晶 低电阻率 工艺手段 制造过程 半导体 |
| 文章编号： | 1003-353X(2005)12-0057-03 |
| 收稿时间： | 2005-04-22 |
| 修稿时间： | 2005年4月22日 |
Method for Improving the Junction Temperature of Thyristor |
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| LI Man,XIANG Jian-hua.Method for Improving the Junction Temperature of Thyristor[J].Semiconductor Technology,2005,30(12):57-59. |
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| Authors: | LI Man XIANG Jian-hua |
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| Affiliation: | Fuxin Jialong Electronics Co, Ltd, Fuxin 123000, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | thyristor junction temperature avalanche point of short circuit |
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