| 基于BCl3感应耦合等离子体的蓝宝石光滑表面刻蚀 |
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| 引用本文： | 薛小琳,韩彦军,张贤鹏,江洋,马洪霞,刘中涛,罗毅.基于BCl3感应耦合等离子体的蓝宝石光滑表面刻蚀[J].光电子．激光,2007,18(9):1078-1081. |
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| 作者姓名： | 薛小琳 韩彦军 张贤鹏 江洋 马洪霞 刘中涛 罗毅 |
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| 作者单位： | 清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100084 |
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| 摘 要： | 利用Ar/BCl3、Cl2/BCl3和SF6/BCl3感应耦合等离子体(ICP),研究了蓝宝石(Al2O3)材料的干法刻蚀特性.实验表明,优化BCl3含量(80%),可以提高对Al2O3衬底的刻蚀速率;在BCl3刻蚀气体中加入20%的Ar气可以在高刻蚀速率下同时获得优于未刻蚀Al2O3衬底表面的光滑刻蚀表面和较好的刻蚀侧壁,原子力显微镜(AFM)分析得到最优刻蚀平整度为0.039 nm,俄歇电子能谱(AES)分析其归一化Al/O原子比为0.94.
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| 关 键 词： | 蓝宝石(Al2O3) 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀 Ar/BCl3 表面平整度 刻蚀速率 |
| 文章编号： | 1005-0086（2007）09-1078-04 |
| 收稿时间： | 2006/9/27 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2006-09-272006-12-22 |
Smooth Etching of Sapphire Wafers Using BCl3 Inductively Coupled Plasmas |
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| XUE Xiao-lin,HAN Yan-jun,ZHANG Xian-peng,JIANG Yang,MA Hong-xi,LIU Zhong-tao,LUO Yi.Smooth Etching of Sapphire Wafers Using BCl3 Inductively Coupled Plasmas[J].Journal of Optoelectronics·laser,2007,18(9):1078-1081. |
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| Authors: | XUE Xiao-lin HAN Yan-jun ZHANG Xian-peng JIANG Yang MA Hong-xi LIU Zhong-tao LUO Yi |
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| Affiliation: | State Key Lab. on Integrated Optoeleetronies, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | sapphire(Al2O3) inductively coupled plasmas(ICP) etching Ar/BCl3 surface roughness etch rate |
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