| 基于Ni/HfO2/Pt结构的阻变存储器的高温稳定性研究 |
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| 引用本文： | 张晓. 基于Ni/HfO2/Pt结构的阻变存储器的高温稳定性研究[J]. 半导体学报, 2012, 33(5): 054011-3 |
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| 作者姓名： | 张晓 |
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| 摘 要： | 这篇文章研究了Ni/HfO2/Pt结构的阻变存储器的阻变特性。Ni/HfO2/Pt器件显示出了双极阻变特性并且没有forming过程,我们认为导电细丝的形成和破灭是器件阻变的本质机理。此外,器件有很好的转变性能和保持特性：转换窗口达到3?105, 在高温200oC下的保持时间大于103s,并且具有均匀的转变参数。考虑到以上优良性能,Ni/HfO2/Pt结构的阻变存储器很有在非挥发性存储器领域中具有很高的应用价值。
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| 关 键 词： | 开关特性 电阻 非易失性 开关现象 内存 设备 导电丝 均匀性 |
Resistive switching characteristics of Ni/HfO2/Pt ReRAM |
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| Zhang Xiao. Resistive switching characteristics of Ni/HfO2/Pt ReRAM[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2012, 33(5): 054011-3 |
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| Authors: | Zhang Xiao |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics, Xi'an Jiaotong University, Xi'an 710049, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | resistive random access memory programmable metallization cell conductive filament Ni electrode HfO2 |
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