| ILGAR法制备CdS薄膜新工艺的研究 |
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| 引用本文： | 邱继军,靳正国,武卫兵,刘晓新,程志捷.ILGAR法制备CdS薄膜新工艺的研究[J].太阳能学报,2005,26(3):371-375. |
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| 作者姓名： | 邱继军 靳正国 武卫兵 刘晓新 程志捷 |
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| 作者单位： | 先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津大学材料学院,天津,300072 |
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| 摘 要： | 采用一种薄膜制备的新方法-离子层气相反应法(ILAR)，以CdCl2为前驱体，H2S为硫源制备了CdS薄膜。利用XRD、SEM、AFM、XPS及UV—VIS透射光谱等测试分析方法对薄膜的晶型、表面化学组成、表面形貌、膜厚增长速度及光学性能进行了研究。实验结果表明：ILGAR法制备的CAS薄膜表面较致密、均匀、附着性好；在0．05MCdCl2前驱体溶液浸渍处理，薄膜以-2．8nm／cycle的恒定速率增长，且薄膜晶体沿立方(111)面具有明显的择优取向生长；400℃热处理1h，发生立方→六方晶型转变，最终为六方与立方混相结构，择优方向转为六方(002)面；薄膜经热处理后在可见光处的吸收峰发生红移，其禁带宽度降低，并且会随着膜厚的增加进一步降低。
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| 关 键 词： | CdS薄膜 ILGAR法制备 热处理 |
| 文章编号： | 0254-0096(2005)03-0371-05 |
STUDY ON A NOVEL ILGAR TECHNOLOGY FOR CdS THIN FILM |
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| QIU Jijun,Jin Zhengguo,WU Weibing,Liu Xiaoxin,Cheng Zhijie.STUDY ON A NOVEL ILGAR TECHNOLOGY FOR CdS THIN FILM[J].Acta Energiae Solaris Sinica,2005,26(3):371-375. |
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| Authors: | QIU Jijun Jin Zhengguo WU Weibing Liu Xiaoxin Cheng Zhijie |
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| Keywords: | CdS thin film ILGAR Annealing |
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