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| 自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术 | |
| 引用本文： | 邵凯,李炳宗,邹斯洵,黄维宁,吴卫军,房华,於伟峰,姜国宝,俞波,张敏.自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术[J].半导体学报,1996,17(4):294-299. |
| 作者姓名： | 邵凯 李炳宗 邹斯洵 黄维宁 吴卫军 房华 於伟峰 姜国宝 俞波 张敏 |
| 作者单位： | 复旦大学电子工程系 |
| 摘 要： | ＣＯ／Ｔｉ／Ｓｉ或ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构通过多步退火技术在Ｓｉ单晶衬底上外延生长ＣｏＳｉ２薄膜，ＡＥＳ、ＲＢＳ测试显示ＣｏＳｉ２薄膜具有良好均匀性和单晶性．这种硅化物新技术已用于ＣＭＯＳ器件工艺．采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术淀积氮氧化硅薄膜，并用反应离子刻蚀（ＲＩＥ）技术形成多晶硅栅边墙．固相外延ＣｏＳｉ２薄膜技术和边墙工艺相结合，经过选择腐蚀，可以分别在源漏区和栅区形成单晶ＣｏＳｉ２和多晶ＣｏＳｉ２薄膜，构成新型自对准硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）器件结构．在Ｎ阱ＣＭＯＳ工艺 |
| 关 键 词： | CMOS器件 外延生长 CoSi2 |
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