GaAs MESFET中肖特基势垒接触退化机理的研究 |
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作者姓名: | 李志国 赵瑞东 孙英华 吉元 程尧海 郭伟玲 王重 李学信 |
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作者单位: | 北京工业大学电子工程系 |
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摘 要: | 本文对Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAsMESFET进行了四种不同的应力试验:1.高温反偏(HTRB);2.高压反偏(HRB);3.高温正向大电流(HFGC);4.高温存贮(HTS).通过HRB,ΦB从0.64eV减少到0.62eV,理想因子n略有增大.HTS试验中ΦB从0.67eV增加到0.69eV.分析表明,这归因于界面氧化层的消失,以及Ti与GaAs的反应;HFGC试验结果表明其主要的失效模式为烧毁,SEM观察中有电徙动及断栅现象发生.AES分析表明。应力试验后的样品,肖特基势垒接触界面模糊
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关 键 词: | MESFET 砷化镓 肖特基势垒 退化 场效应晶体管 |
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