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| 四极SIMS对AlxGa1—xAs中Si的定量分析 | |
| 引用本文： | 姜志雄,王佑祥.四极SIMS对AlxGa1—xAs中Si的定量分析[J].半导体学报,1996,17(6):421-427. |
| 作者姓名： | 姜志雄 王佑祥 |
| 作者单位： | [1]清华大学电子工程系 [2]中国科学院表面物理实验室 |
| 摘 要： | 本讨论了用ＭＩＱ－１５６四极ＳＩＭＳ仪器对ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ中Ｓｉ进行定量分析的实验方法，考察了测量结果的重复性及ｘ变化时ＳｉＲＳＦ的变化规律，在ＩＭＳ－４ｆＳＩＭＳ仪器上进行了对比测试，用Ｃｓ＾＋源对＾２９Ｓｉ的原子检测了限达到了４×１０＾１５ｃｍ＾－３。 |
| 关 键 词： | SIMS AlGaAs 硅 掺杂 |
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