（100）和（111）BGaAs衬底上的In0.14Ga0.86As／GaAs量子阱的发光特性…

在（１００）和（１１１）ＢＧａＡｓ衬底上，同时用ＭＯＣＶＤ生长出Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ａｓ多量子阱子结构，对两种晶向的样品进行了低温（２Ｋ）光致发光谱特怀性地比研究，测量与理论的光发射能量对比表明；（１００）面样品两一致，而（１１１）Ｂ样品比测量值高出１０－１５ｍｅＶ，这一差别用（１１１）Ｂ面量子阱中的压电效应产生的知建电场引起的发射能量红移作出解释。