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扩散阻挡层对Cu-Zr纳米合金膜电阻率与残余应力的影响
引用本文:宋忠孝,鞠新华,徐可为.扩散阻挡层对Cu-Zr纳米合金膜电阻率与残余应力的影响[J].金属学报,2002,38(7):723-726.
作者姓名:宋忠孝  鞠新华  徐可为
作者单位:西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,710049
基金项目:国家自然科学基金重点资助 59931010项目
摘    要:用磁控溅射和离子束溅射共沉积的方法分别在以单晶硅为基体的TiN,TaN,ZrN扩散阻挡层上沉积了Cu-Zr合金膜,膜在400℃氮气中退火1h.结果表明扩散阻挡层对膜的晶体取向、电阻率和残余应力有很大影响.沉积态的膜具有强的(111)取向,且峰型严重展宽;退火后峰型明显锐化,出现(200)等晶体取向;对应TiN,TaN;ZrN三种扩散阻挡层,膜的电阻率在沉积态时分别达108,327和478μΩ·cm,退火后降至正常的数个μΩ·cm;扩散阻挡层亦可明显降低膜的残余应力,无扩散阻挡层时膜的退火应力达475MPa,有ZrN扩散阻挡层后退火应力降至149MPa.

关 键 词:扩散阻挡层  Cu-Zr合金膜  电阻率  残余应力
文章编号:0412-1961(2002)07-0723-04
修稿时间:2001年10月15

EFFECT OF DIFFUSION BARRIERS ON PROPERTIES OF Cu-Zr ALLOY FILMS ON Si SUBSTRATE
SONG Zhongxiao,JU Xinhua,XU KeweiState key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials,Xi'an Jiaotong University,Xi'an,Correspondent: Xu Kewei,E-mail: kwxu@xjtu.edu.cnSupported by National Natural Science Foundation of China.EFFECT OF DIFFUSION BARRIERS ON PROPERTIES OF Cu-Zr ALLOY FILMS ON Si SUBSTRATE[J].Acta Metallurgica Sinica,2002,38(7):723-726.
Authors:SONG Zhongxiao  JU Xinhua  XU KeweiState key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials  Xi'an Jiaotong University  Xi'an  Correspondent: Xu Kewei  E-mail: kwxu@xjtueducnSupported by National Natural Science Foundation of China
Affiliation:No.59931010
Abstract:
Keywords:diffusion barrier  Cu-Zr alloy film  resistivity  residual stress
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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