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| 立方相GaN/GaAs(100)质量的X射线双晶衍射研究 | |
| 作者姓名： | 徐大鹏 王玉田 杨辉 郑联喜 李建斌 段俐宏 吴荣汉 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,国家光电工艺中心 北京100083 |
| 摘 要： | 利用DCXRD(X射线双晶衍射 ) ,PL谱 (光荧光 )和SEM (扫描电子显微镜 ) ,对在GaAs( 1 0 0 )衬底上用低压MOCVD方法生长的立方相GaN进行了深入研究 ,发现GaN的晶体质量和光学性质良好 .其X射线双晶衍射摇摆曲线 (Rockingcurve) ( 0 0 2 )衍射的FWHM(半峰宽 )为 40min ,其PL谱的FWHM为 1 2nm ,实现了高晶体质量和高光学质量的一致性 .这也是首次报道 1 5 μm以上立方相GaN外延膜光荧光的发光情况 .同时还用X射线三轴晶衍射估算了薄膜内应变和晶粒尺寸 . |
| 关 键 词： | 立方GaN X光双晶衍射 MOCVD |
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