基于SiC肖特基二极管温度特性的研究

碳化硅(SiC)作为第三代宽带隙半导体材料，其因优异的物理特性而被广泛研究。针对SiC器件在高温环境下可能会因为不理想的散热导致器件失效从而引发可靠性问题，文中采用仿真的方法对铂Pt/SiC肖特基二极管器件进行了测试，并研究了该型器件在高温下的伏安特性。结果表明，Pt/SiC肖特基二极管器件在正偏的情况下，随着温度的升高，器件的电流水平会逐渐降低；器件反偏时，反向电流水平则随着温度的升高而急剧增大。同时在高温下器件的反向电流基本趋于饱和，热电子发射电流占据主导地位，且200℃时电子的迁移率仅为500 cm2/(V·s)。