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用高分辨率电子显微技术研究Ⅲ族氮化物半导体的特性
摘 要:
利用高分辨率电子显微技术研究了等离子体增强分子束外延(PE-MBE)生长的GaN,AlN和InN薄膜的微结构特性。闪锌矿和纤锌矿多晶相分别在(001)GaAs和(0001)6H-SiC衬底上优先成核。沿{111}平面的层错和微孪晶是闪锌矿结构薄膜的主要缺陷,而在纤锌矿结构薄膜中,以沿{0002}平面的层错和始于衬底表面的线缺陷更为常见。在适宜的缓冲层上生长的薄膜晶体质量有所提高
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