| nMOSFET低能X射线辐照特性研究 |
| |
| 引用本文： | 恩云飞,罗宏伟.nMOSFET低能X射线辐照特性研究[J].电子产品可靠性与环境试验,2005,23(6):25-28. |
| |
| 作者姓名： | 恩云飞 罗宏伟 |
| |
| 作者单位： | 信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610;电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室,广东,广州,510610 |
| |
| 摘 要： | 讨论了MOSFET的辐照损伤机理，通过低能（10keV）X射线辐照试验，分析了不同X射线辐照总剂量、不同剂量率对nMOSFET单管的转移特性以及阈值电压的影响。结果表明X射线辐照对nMOSFET的阈值电压变化的影响与^60Co辐照影响的规律基本一致。
|
| 关 键 词： | 低能X射线 总剂量 剂量率 转移特性 阈值电压 |
| 文章编号： | 1672-5468(2005)06-0025-04 |
| 修稿时间： | 2005年8月17日 |
Total dose effect of nMOSFET under low-energy X-ray irradiation |
| |
| EN Yun-fei,LUO Hong-wei.Total dose effect of nMOSFET under low-energy X-ray irradiation[J].Electronic Product Reliability and Environmental Testing,2005,23(6):25-28. |
| |
| Authors: | EN Yun-fei LUO Hong-wei |
| |
| Abstract: | The irradiation failure mechanism of MOSFET is studied.With the test of low-energy (10 keV)X-ray irradiation,the influence of TID,irradiation dose rate to the transmission character and threshold voltage of nMOSFET are analyzed.It shows the change of threshold voltage of nMOSFET under X-ray is consistent with that under ~(60)Co irradiation. |
| |
| Keywords: | low-energy X-ray Total Irradiation Dose(TID) dose rate transmission character threshold voltage |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
