| T形栅In0.52Al0.48 As／In0.6Ga0.4As MHEMTs功率器件 |
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| 引用本文： | 黎明,张海英,徐静波,付晓君. T形栅In0.52Al0.48 As／In0.6Ga0.4As MHEMTs功率器件[J]. 半导体学报, 2008, 29(12): 2331-2334 |
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| 作者姓名： | 黎明 张海英 徐静波 付晓君 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划 |
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| 摘 要： | 利用电子束光刻技术制备了200nm栅长GaAs基T型栅InAlAs/InGaAs MHEMT 器件.该GaAs基MHEMT器件具有优越的直流、高频和功率性能,跨导、饱和漏电流密度、阈值电压、电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到510mS/mm, 605mA/mm, -1.8V, 138GHz 和78GHz. 在8GHz下,输入功率为-0.88(2.11)dBm时,输出功率、增益、PAE、输出功率密度分别为14.05(13.79)dBm,14.9(11.68)dB,67.74 (75.1)%,254(239)mW/mm，为进一步研究高性能GaAs基MHEMT功率器件奠定了基础.
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| 关 键 词： | MHEMT InAlAs/InGaAs；功率特性；T 型栅 |
| 收稿时间： | 2008-06-06 |
| 修稿时间： | 2008-07-22 |
Power Characteristics of Metamorphic In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.6)Ga_(0.4)As HEMTs on GaAs Substrates with T-Shaped Gate |
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| Li Ming,Zhang Haiying,Xu Jingbo and Fu Xiaojun. Power Characteristics of Metamorphic In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.6)Ga_(0.4)As HEMTs on GaAs Substrates with T-Shaped Gate[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2008, 29(12): 2331-2334 |
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| Authors: | Li Ming Zhang Haiying Xu Jingbo Fu Xiaojun |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MHEMT InAlAs/InGaAs power characteristics T-shaped gate |
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