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智能剥离技术制备单晶 SOG材料的研究
引用本文:宋华清,石兢,张苗,林成鲁.智能剥离技术制备单晶 SOG材料的研究[J].功能材料与器件学报,2003,9(2):219-221.
作者姓名:宋华清  石兢  张苗  林成鲁
作者单位:1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;武汉大学物理系,武汉,430072
2. 武汉大学物理系,武汉,430072
3. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
基金项目:国家自然科学基金资助项目( No.90101012)
摘    要:结合中等剂量的氢离子注入和阳极键合(Anodic bonding),利用智能剥离技术(Smart—cut)成功转移了一层单晶硅到玻璃衬底上。采用剖面透射电镜、高分辨透射电镜、扫描电镜和拉曼光谱等对SOG材料进行了研究,结果表明此技术制备的SOG材料具有界面陡峭、平整,顶层硅单晶质量完好等优点。

关 键 词:单晶硅  SOG材料  阳极键合  智能剥离  落层转移
文章编号:1007-4252(2003)02-0219-03
修稿时间:2002年8月21日

Fabrication of monocrystalline silicon on glass by smart-cut
SONG Hua-qing,SHI Jing,ZHANG Miao,LIN Cheng-lu.Fabrication of monocrystalline silicon on glass by smart-cut[J].Journal of Functional Materials and Devices,2003,9(2):219-221.
Authors:SONG Hua-qing    SHI Jing  ZHANG Miao  LIN Cheng-lu
Affiliation:SONG Hua-qing1,2,SHI Jing2,ZHANG Miao1,LIN Cheng-lu1
Abstract:Monocrystalline Silicon films were transferred to a glass substrate by Smart-cut technique which based on H+ions implantation, anodic bonding and layer splitting. The SOG structures were characterized by cross-section transmission electron microscopy (XTEM), HRTEM,Scanning electron microscopy (SEM) and Raman Spectroscopy. The results show that SOG materials fabricated by Smart- cut has advantages of steep top Si/glass interface and good monocrystalline Si quality.
Keywords:SOG  anodic bonding  Smart-cut  layer transfer
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