厚度∽1微米的金属铝薄膜的制备

1.引言在高压倍加器上应用D(d,n)He~3反应作为中子源时,被加速的氛离子束打在加速管壁及准直光栏上。并吸附在它们的表面层上,然后在氘束轰击下产生D(d,n)He~3中子,构成本底。这常常给实验带来麻烦。当束的聚焦不良或束线的方向不稳定时,会给实验带来很大的困难。从D(d,n)H~3反应动力学可知:中子与伴随产生的He~3之间有一定的角度依赖关系。根据这个关系,采用n-He~3符合的方法,可以选出氘靶上产生的中子,从而显著地减少本底。这种方法通常称之为伴随粒子法。