| 真空蒸发法制备氧化钒薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 吴淼,胡明,张之圣,刘志刚,温宇峰. 真空蒸发法制备氧化钒薄膜的研究[J]. 硅酸盐通报, 2005, 24(1): 17-19,24 |
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| 作者姓名： | 吴淼 胡明 张之圣 刘志刚 温宇峰 |
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| 作者单位： | 天津大学电子信息工程学院,天津,300072;天津大学电子信息工程学院,天津,300072;天津大学电子信息工程学院,天津,300072;天津大学电子信息工程学院,天津,300072;天津大学电子信息工程学院,天津,300072 |
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| 基金项目： | 天津市自然科学基金项目(043600811). |
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| 摘 要： | 以V2O5粉末为原料,采用真空蒸发结合真空热处理方法制备V O x薄膜,运用X R D(X射线衍射)和SE M(扫描电子显微镜)技术分析了基片材料、基片温度、真空热处理工艺对氧化钒薄膜结晶状态、物相组成和表面形貌的影响,在基片温度为200℃和400℃时所沉积的氧化钒薄膜在室温附近的电阻温度系数(TC R)分别达到-3%,并发现随着基片温度的升高,薄膜在室温附近的电阻率降低,TC R绝对值减小。
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| 关 键 词： | V2O5 真空蒸发 VOx薄膜 电阻温度系数 |
Properties of VOx Thin Films Prepared by Vacuum Evaporation |
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| Wu Miao,Hu Ming,Zhang Zhisheng,Liu Zhigang,Wen Yufeng. Properties of VOx Thin Films Prepared by Vacuum Evaporation[J]. Bulletin of the Chinese Ceramic Society, 2005, 24(1): 17-19,24 |
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| Authors: | Wu Miao Hu Ming Zhang Zhisheng Liu Zhigang Wen Yufeng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | vanadium pentoxide vacuum evaporation VO_x film TCR |
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