IC生产线上离子注入剂量测试方法 |
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作者姓名: | 杨富宝 金红杰 陈荣 程宏亮 |
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作者单位: | 杭州士兰集成电路有限公司,杭州,310018 |
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摘 要: | 在IC生产线上,对离子注入剂量的监控非常重要。目前,离子注入剂量的测试方法有很多种,它们在测试原理、仪器价格、测试灵敏度、样品制备和操作方便性等方面存在较大差异。本文重点介绍了MOSC—V法、扩展电阻探针(SRP)法和热波(TW)法的测试原理和测试过程,并比较分析了上述各种测试方法的优缺点,从而给实际工作中选择合适的测试方法监控离子注入剂量提供参考。
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关 键 词: | 离子注入剂量 MOS C—V法 扩展电阻探针 热波法 |
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