| 杂氮硅三环类化合物的X-射线光电子能谱(XPS)和EHMO计算研究 |
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| 引用本文： | 王殿勋,张大仁,鲁开娟,吴冶新,吴观丽.杂氮硅三环类化合物的X-射线光电子能谱(XPS)和EHMO计算研究[J].中国科学B辑,1982(10). |
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| 作者姓名： | 王殿勋 张大仁 鲁开娟 吴冶新 吴观丽 |
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| 作者单位： | 中国科学院化学研究所 北京
(王殿勋，鲁开娟，吴冶新)，中国科学院化学研究所 北京中国科学院环境化学研究所
(张大仁)，中国科学院化学研究所 北京(吴观丽) |
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| 摘 要： | 本文用X-射线光电子能谱(XPS)研究了二十种硅上带有不同取代基(R)的杂氮硅三环类化合物,并对其中R为F,Cl,Br,I,CH_3,H,CH=CH_2,CH_2Cl,CHCl_2等九种该类化合物做了EHMO(广义Hückel分子轨道法)理论计算处理。从杂氮硅三环类化合物各组成元素的XPS谱,不但再次证明了这类化合物分子中N→Si配位键的存在,并得到不同取代基(R)对N→Si配位键强度的影响。EHMO计算求得的原子净电荷(Q)与不同取代基(R)所引起的N_(1s)和Si_(2p)结合能位移有线性关系。而计算的键序能很好地预言实验中取代基(R)的改变对N→Si配位键强度的影响。同时计算表明,在该类化合物中,其N→Si配位键的强度约为相应的Si—O共价键平均键强的一半。
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