金属化膜电容器电极边缘电场畸变研究北大核心CSCD

金属化膜电容器因其自愈特性可在高电场强度下工作,但电极边缘的电场畸变导致的电极退化会使电容量下降,对电极边缘处的电场畸变程度的评估可为电容器的结构设计提供支撑。文中基于三结合点附近电场分布特点,提出了一种评估电极边缘电场畸变程度的新方法,以T型金属化膜电容器为计算模型,对有限元得到的电极附近电场的数值解,采用电场分布的理论解析式进行拟合,拟合优度在99%以上,定义拟合系数为电场畸变系数来评估电场畸变程度,并得到电极厚度、薄膜厚度和分割间隙对电场畸变程度的影响规律:电场畸变系数随电极厚度的减小呈幂函数形式增大,随薄膜厚度和分割间隙的减小呈幂函数形式减小,同时根据多参数关系式可准确预估电场畸变系数。