| 基于PSSNa的平面侧栅型氧化物双电层薄膜晶体管 |
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| 引用本文： | 黄琬晴,桑旭慧,邵枫. 基于PSSNa的平面侧栅型氧化物双电层薄膜晶体管[J]. 电子元件与材料, 2022, 41(3): 243-249. DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1650 |
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| 作者姓名： | 黄琬晴 桑旭慧 邵枫 |
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| 作者单位： | 江南大学 物联网工程学院, 江苏 无锡 214000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51702127)；;江苏省自然科学基金(BK20170195)； |
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| 摘 要： | 双电层薄膜晶体管(EDLTs)凭借其低电压、多栅调控以及对神经突触的模拟而备受关注.为了实现一种基于聚电解质的新型平面侧栅结构的EDLTs,采用磁控溅射制备的氧化铟镓锌(IGZO)沟道和氧化铟锌(IZO)电极,试验了三种不同的聚电解质作为栅介质.发现聚苯乙烯磺酸钠(PSSNa)可以作为栅介质材料实现器件的良好工作.由于...
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| 关 键 词： | 双电层薄膜晶体管 聚苯乙烯磺酸钠 平面侧栅 湿度响应 |
Oxide-based planar-gate electric-double-layer thin film transistors with PSSNa as the gate dielectric |
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| HUANG Wanqing,SANG Xuhui,SHAO Feng. Oxide-based planar-gate electric-double-layer thin film transistors with PSSNa as the gate dielectric[J]. Electronic Components & Materials, 2022, 41(3): 243-249. DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2022.1650 |
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| Authors: | HUANG Wanqing SANG Xuhui SHAO Feng |
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