| 栅氧层厚度与CMOS运算放大器电离辐射效应的关系 |
| |
| 引用本文： | 陆妩,任迪远,郭旗,余学锋,郑毓峰,张军. 栅氧层厚度与CMOS运算放大器电离辐射效应的关系[J]. 核技术, 2005, 28(3): 227-230 |
| |
| 作者姓名： | 陆妩 任迪远 郭旗 余学锋 郑毓峰 张军 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011;新疆大学,乌鲁木齐,830046 |
| |
| 摘 要： | 介绍了在干氧和氢氧合成两种不同工艺和不同栅氧层厚度情况下，CMOS运算放大器电路的电离辐照响应规律。并通过对其单管特性及内部单元电路辐照变化的分析比较，探讨了栅氧层厚度的变化与运放电路辐照损伤之间的相互依赖关系。结果显示，适当地减薄栅氧层厚度，可相应地减少辐照感生氧化物电荷和界面态引起的跨导衰降，从而使CMOS运放电路的抗辐射特性得到明显的改善。
|
| 关 键 词： | CMOS运算放大器 跨导 栅氧层 氧化物电荷 界面态 |
Influence of thickness of gate oxide layer on the irradiation response of CMOS op-amp |
| |
| LU Wu,REN Diyuan,GUO Qi,Yu Xuefeng,ZHENG Yufeng,ZHANG Jun. Influence of thickness of gate oxide layer on the irradiation response of CMOS op-amp[J]. Nuclear Techniques, 2005, 28(3): 227-230 |
| |
| Authors: | LU Wu REN Diyuan GUO Qi Yu Xuefeng ZHENG Yufeng ZHANG Jun |
| |
| Affiliation: | LU Wu1 REN Diyuan1 GUO Qi1 YU Xuefeng1 ZHENG Yufeng2 ZHANG Jun2 1 |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | CMOS op-amp Transconductance Gate oxide layer Oxide charges Interface states |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
