| 化学溶液法在Al2O3单晶(1102)面沉积生长(200)面择优取向的CeO2涂层的研究 |
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| 引用本文： | 薛耀辉,邓长生,李庆丰,艾德生,戴遐明. 化学溶液法在Al2O3单晶(1102)面沉积生长(200)面择优取向的CeO2涂层的研究[J]. 中国有色金属学报, 2004, 14(Z2): 488-491 |
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| 作者姓名： | 薛耀辉 邓长生 李庆丰 艾德生 戴遐明 |
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| 作者单位： | 清华大学,核能和新能源技术研究院北京1021信箱,北京,102201 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 利用化学溶液沉积法在R面切割的Al2O3单晶基底上进行了沉积制备有(200)择优取向CeO2涂层的研究.以无机铈盐为前驱体,采用浸渍提拉法制备溶液涂层,然后采用在空气中加热处理的方法,得到CeO2涂层,并利用X射线衍射、拉曼光谱等对CeO2涂层进行了表征.研究结果表明,影响CeO2涂层的织构形成的关键因素包括铈盐前驱体溶液的Ce3 浓度以及热处理制度.降低Ce3 浓度结合提高晶化热处理温度有利于涂层(200)择优取向的形成.基于织构形成的实验研究,提出了(200)织构的形成是一个热力学推动的过程,通过Ce2O3氧化成为CeO2,结合Al2O3基底的模板效应,形成(002)织构的CeO2:Ce2O3(002) O2→CeO2(111)→CeO2(200)(优势取向).X射线衍射峰强-转化温度的阿伦尼乌斯分析得出CeO2(111)→CeO2(200)织构形成的活化能为37.6kJ/mol.
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| 关 键 词： | 化学溶液法 氧化铈 涂层 织构 |
| 文章编号： | 1004-0609(2004)S3-0488-04 |
Preparation of preferentially (200) oriented CeO2 coatings on (1102) sapphire substrate by chemical solution deposition |
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