| 高精密CMOS能隙基准源的研究 |
| |
| 引用本文： | 罗福明 沈延钊. 高精密CMOS能隙基准源的研究[J]. 微电子学, 1992, 22(4): 39-43 |
| |
| 作者姓名： | 罗福明 沈延钊 |
| |
| 作者单位： | 清华大学微电子所，清华大学微电子所，清华大学微电子所 北京 100034，北京 100034，北京 100034 |
| |
| 摘 要： | 本文设计和研究了与n阱CMOS工艺兼容的高精密CMOS能隙基准源电路。该电路实现了全温度曲率补偿,降低了运放失调电压对精度的影响。理论上证明,具有极好的温度特性。SPICE模拟表明,精度可达到<3ppm/℃,实验芯片亦达到预期结果。
|
| 关 键 词： | CMOS 电路设计 版图设计 集成电路 |
Investigation Into Precision CMOS Band-Gap Reference Sources |
| |
| Luo Fuming,Shen Yanzhao and Nan Deheng Institute of Microelectronics,Tsinghua University,,Beijing. Investigation Into Precision CMOS Band-Gap Reference Sources[J]. Microelectronics, 1992, 22(4): 39-43 |
| |
| Authors: | Luo Fuming Shen Yanzhao Nan Deheng Institute of Microelectronics Tsinghua University Beijing |
| |
| Affiliation: | Luo Fuming,Shen Yanzhao and Nan Deheng Institute of Microelectronics,Tsinghua University,100034,Beijing |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | CMOS Band gap reference Circuit design Layout design |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
|
