| 退火温度对射频磁控溅射法生长的Mg0.16Zn0.84O薄膜性质的影响 |
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| 引用本文： | 张锡健 马洪磊 王卿璞 马瑾 宗福建 肖洪地 计峰. 退火温度对射频磁控溅射法生长的Mg0.16Zn0.84O薄膜性质的影响[J]. 功能材料, 2004, 35(Z1): 1196-1198 |
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| 作者姓名： | 张锡健 马洪磊 王卿璞 马瑾 宗福建 肖洪地 计峰 |
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| 作者单位： | 张锡健（山东大学,物理与微电子学院,济南,山东,250100）;马洪磊（山东大学,物理与微电子学院,济南,山东,250100）;王卿璞（山东大学,物理与微电子学院,济南,山东,250100）;马瑾（山东大学,物理与微电子学院,济南,山东,250100）;宗福建（山东大学,物理与微电子学院,济南,山东,250100）;肖洪地（山东大学,物理与微电子学院,济南,山东,250100）;计峰（山东大学,物理与微电子学院,济南,山东,250100） |
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| 基金项目： | 教育部博士点基金资助项目(20020422056) |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射的方法在硅衬底上生长出高质量的Mg0.16Zn0.84O薄膜.用X射线(XRD)、原子力显微镜(AFM)分别研究了在200、400、600和800℃下空气中退火2h的Mg0.16Zn084O薄膜的结构、表面形貌.结果表明,Mg0.16Zn0.84O薄膜是六角纤锌矿结构,具有沿与衬底垂直的C轴的择优取向;随着样品退火温度的升高,(002)衍射峰强度明显增强,衍射峰半高宽(FWHM)由0.86°单调地降低到0.40°,晶粒大小明显增大,最大的高达400nm以上.用TV1900型双光束紫外可见分光光度计测量了淀积在蓝宝石衬底上的Mg0.16Zn0.84O薄膜室温的透射谱,得到可见光区的平均透过率约为95%,进而估算出Mg0.16Zn0.84O薄膜的带隙宽度约为3.58eV.
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| 关 键 词： | MgZn1-xO薄膜 AFM XRD 退火 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-1196-03 |
| 修稿时间： | 2004-02-20 |
The influence of annealingtemperature on properties of Mg0.16Zn0.84O films deposited by radiofrequency magnetron sputtering |
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| ZHANG Xi-jian. The influence of annealingtemperature on properties of Mg0.16Zn0.84O films deposited by radiofrequency magnetron sputtering[J]. Journal of Functional Materials, 2004, 35(Z1): 1196-1198 |
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| Authors: | ZHANG Xi-jian |
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