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衬底温度和氮气分压对氮化锌薄膜的性能影响
引用本文:张军,谢二庆,付玉军,李晖,邵乐喜. 衬底温度和氮气分压对氮化锌薄膜的性能影响[J]. 半导体学报, 2007, 28(8): 1173-1178
作者姓名:张军  谢二庆  付玉军  李晖  邵乐喜
作者单位:兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000;湛江师范学院物理科学与技术学院,湛江 524048;兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000;兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000;兰州大学物理科学与技术学院,兰州 730000;湛江师范学院物理科学与技术学院,湛江 524048
基金项目:广东省自然科学基金 , 广东省教育厅自然科学基金
摘    要:采用射频磁控溅射法在不同衬底温度和不同氮气分压下在石英玻璃衬底上制备氮化锌薄膜. 利用XRD和喇曼散射仪分析了样品的晶体结构和组成. 结果表明当氮气分压为1/2时可以生成多晶单一相的氮化锌薄膜. 利用霍尔效应和光学透过谱测量了样品的电学和光学性质. 结果表明衬底温度对样品的电学和光学性质有很大的影响. 衬底温度从100℃上升到300℃时,样品的电阻率从0.49降低到0.023Ω·cm. 电子浓度从2.7×1016升高到8.2×1019cm-3. 在衬底温度为200℃,氮气分压为1/2时,样品的光学带隙为1.23eV.

关 键 词:氮化锌  薄膜  射频溅射  光电性质  zinc nitride  thin film  magnetron sputtering  electrical and optical properties
文章编号:0253-4177(2007)08-1173-06
收稿时间:2007-02-07
修稿时间:2007-03-24

Influence of Substrate Temperature and Nitrogen Gas on Zinc Nitride Thin Films Prepared by RF Reactive Sputtering
Zhang Jun,Xie Erqing,Fu Yujun,Li Hui and Shao Lexi. Influence of Substrate Temperature and Nitrogen Gas on Zinc Nitride Thin Films Prepared by RF Reactive Sputtering[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(8): 1173-1178
Authors:Zhang Jun  Xie Erqing  Fu Yujun  Li Hui  Shao Lexi
Affiliation:School of Physical Science and Technology,Lanzhou University,Lanzhou 730000,China;School of Physics,Zhanjiang Normal College,Zhanjiang 524048,China;School of Physical Science and Technology,Lanzhou University,Lanzhou 730000,China;School of Physical Science and Technology,Lanzhou University,Lanzhou 730000,China;School of Physical Science and Technology,Lanzhou University,Lanzhou 730000,China;School of Physics,Zhanjiang Normal College,Zhanjiang 524048,China
Abstract:
Keywords:zinc nitride  thin film  magnetron sputtering  electrical and optical properties
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