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| 高纯Al_2O_3陶瓷基片制备条件的选择问题 | |
| 引用本文： | 谈家琪.高纯Al_2O_3陶瓷基片制备条件的选择问题[J].硅酸盐通报,1981(2). |
| 作者姓名： | 谈家琪 |
| 作者单位： | 天津大学 |
| 摘 要： | 引言 Al_2O_3含量在99.5％以上的陶瓷,具有非常良好的高频介电性能,即使频率高达10~(10)赫以上时,其损耗角正切值仍可低至1×10~(-4)以下。除此以外,这种材料还具有极高的机械强度,良好的导热性能,较高的表面光洁度等优良性能,是一种理想的薄膜基片材料,可部份代替兰宝石单晶作为微液基片使用。近年来,这种材料在电子技术中已得到广泛应用。国内外在高纯Al_2O_3陶瓷材料方面进行了许多研究工作。本文对高纯 |
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