| 利用ICP设备制备图形化蓝宝石基底的工艺控制 |
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| 引用本文： | 李燕,曹亮,李晖,唐代华,Wonsik YOO,梁栋,杨正兵,李昕. 利用ICP设备制备图形化蓝宝石基底的工艺控制[J]. 压电与声光, 2013, 35(6): 879-882 |
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| 作者姓名： | 李燕 曹亮 李晖 唐代华 Wonsik YOO 梁栋 杨正兵 李昕 |
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| 作者单位： | （1.中国电子科技集团公司第26研究所，重庆 400060；;2. 韩国先进微波技术有限公司，首尔 150834 ） |
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| 基金项目： | 国家国际科技合作专项基金资助项目(2011DFA52960) |
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| 摘 要： | 该文对利用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀设备来制作图形化蓝宝石基底(PSS)的工艺控制进行了研究。在工艺制作过程中，选用了C轴(0001)取向的100 mm蓝宝石平片作为实验样品，通过光刻工艺和ICP刻蚀工艺控制，制作出了具有圆锥状图形结构的图形化蓝宝石基底。借助扫描电子显微镜，对该图形化蓝宝石基底进行了测量和分析。测量结果显示，基底表面上的单粒圆锥状图形结构的底部直径为(3.45±0.25) μm，刻蚀高度/深度为(1.75±0.25) μm，整个图形化蓝宝石基底成品片的均匀性控制在3%以内。
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| 关 键 词： | 蓝宝石；基底；刻蚀；感应耦合等离子体(ICP)；图形化蓝宝石基底；发光二极管；刻蚀设备 |
The Process Control of Patterned Sapphire Substrates Fabricated by Inductively Coupled Plasma Etcher |
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| LI Yan,CAO Liang,LI Hui,TANG Daihu,WONSIK YOO,LIANG Dong,YANG Zhengbing and LI Xin. The Process Control of Patterned Sapphire Substrates Fabricated by Inductively Coupled Plasma Etcher[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2013, 35(6): 879-882 |
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| Authors: | LI Yan CAO Liang LI Hui TANG Daihu WONSIK YOO LIANG Dong YANG Zhengbing LI Xin |
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| Affiliation: | (1.26th Institute of China Electronics Technology Group Corporation, Chongqing 400060, China;;2.AMT Solution Co.Ltd of Korea, Seoul 150834, Korea) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | sapphire substrate etch inductively coupled plasma(ICP) patterned sapphire substrate light emitting diode etcher |
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