| 大束流Co离子注入形成CoSi2/Si Schottky结的特性 |
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| 引用本文： | 王燕,田立林,王玉花,李英,李志坚.大束流Co离子注入形成CoSi2/Si Schottky结的特性[J].清华大学学报(自然科学版),2003,43(4):561-563. |
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| 作者姓名： | 王燕 田立林 王玉花 李英 李志坚 |
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| 作者单位： | 清华大学,微电子学研究所,北京,100084 |
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| 摘 要： | 采用Schottky结源漏结构是克服传统MOSFET器件短沟效应的一种有效方法.不同于常规的固相反应形成硅化物的方法,该文利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源进行强流金属离子注入合成了金属硅化物CoSi2,
并首次对其与Si所形成的Schottky结特性进行了研究.结果表明850 ℃退火1
min后已形成CoSi2硅化物晶相,且结深易于控制.电流特性表明p型衬底得到了较好的Schottky结,势垒高度为0.48
eV, 理想因子为1.09, 而n型衬底形成的Schottky结的理想因子偏大,需进一步改进工艺.
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| 关 键 词： | 金属蒸汽真空弧 Schottky结 硅化物 |
| 文章编号： | 1000-0054(2003)04-0561-03 |
| 修稿时间： | 2002年10月25 |
CoSi2/Si Schottky junction formed by high flux Co ion implantation |
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