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| 使用非相干光退火注入过的硅片及在二氧化硅上生长单晶硅 | |
| 引用本文： | M.HAOND ,D.P.VU ,谢克佳.使用非相干光退火注入过的硅片及在二氧化硅上生长单晶硅[J].微电子学,1986(Z1). |
| 作者姓名： | M.HAOND D.P.VU 谢克佳 |
| 摘 要： | 我们用卤灯对注入后的硅片进行退火,并对沉积多晶硅重新结晶。瞬态退火对于4时硅圆片有很好的均匀性,而掺杂剖面不发生再分布。我们用聚光束斑(a shaped spot),不用籽晶,在硅衬底表面生长的SiQ_2层上获得了面积为2mm乘几厘米的(100)单晶硅。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
