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| 输入保护设计典型应用 | |
| 引用本文： | 林楠,赵峰.输入保护设计典型应用[J].微处理机,2009,30(1). |
| 作者姓名： | 林楠 赵峰 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所,沈阳,110032 |
| 摘 要： | 论述了CMOS集成电路 ESD保护的必要性.接着介绍了CMOS集成电路ESD保护的各种设计技术,包括电流分流技术、电压箝位技术、电流均衡技术、ESD设计规则、ESD注入掩膜等,采用适当的ESD保护技术,1.2μm CMOS集成电路的ESD能力可以达到2000V. |
| 关 键 词： | 设计 应用 输入 |
The Typical Applitation of Input Protetion Design |
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| LIN Nan,ZHAO Feng.The Typical Applitation of Input Protetion Design[J].Microprocessors,2009,30(1). | |
| Authors: | LIN Nan ZHAO Feng |
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