| 深亚微米PMOS/SOI热载流子效应研究与寿命评估 |
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| 引用本文： | 颜志英,张敏霞.深亚微米PMOS/SOI热载流子效应研究与寿命评估[J].浙江工业大学学报,2003,31(4):410-413,418. |
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| 作者姓名： | 颜志英 张敏霞 |
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| 作者单位： | 浙江工业大学,信息学院,浙江,杭州,310032 |
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| 摘 要： | 通过测量深亚微米器件的跨导、阈值电压等参数的退化与应力条件的关系，分析SOIPMOS器件尺寸进入深亚微米后的热载流子效应引起的退化规律。模拟了在最环应力条件下，最大线性区跨导Gmmax退化与漏偏压应力Vd的关系，以及器件寿命与应力Vd的关系。
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| 关 键 词： | 跨导 阈值电压 深亚微米 热载流子效应 寿命评估 Gmmax退化 漏偏压应力 微电子器件 |
| 文章编号： | 1006-4303(2003)04-0410-04 |
Hot-carrier effect in deep submicron SOI PMOSFET |
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| YAN Zhi\|ying,ZANG Min\|xia.Hot-carrier effect in deep submicron SOI PMOSFET[J].Journal of Zhejiang University of Technology,2003,31(4):410-413,418. |
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| Authors: | YAN Zhi\|ying ZANG Min\|xia |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SOIPMOS hot\|carrier effects device lifetime |
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