| 组分阶梯InGaN势垒对绿光激光二极管光电性能的影响 |
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| 引用本文： | 侯俨育,董海亮,贾志刚,贾伟,梁建,许并社.组分阶梯InGaN势垒对绿光激光二极管光电性能的影响[J].人工晶体学报,2023(8):1386-1393. |
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| 作者姓名： | 侯俨育 董海亮 贾志刚 贾伟 梁建 许并社 |
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| 作者单位： | 1. 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室;2. 山西浙大新材料与化工研究院;3. 太原理工大学材料科学与工程学院;4. 陕西科技大学材料原子·分子科学研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61904120,21972103)； |
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| 摘 要： | 为探究不同铟(In)组分InxGa1-xN势垒对绿光激光二极管光电性能的影响，本文采用SiLENSe(simulator of light emitters based on nitride semiconductors)仿真软件对一系列具有不同In组分InxGa1-xN势垒的激光二极管进行研究，结果发现InxGa1-xN势垒中In组分最佳值为3%,此时结构的斜率效率最高，内部光学损耗最低，光学限制因子最大，性能最优。在具有In0.03Ga0.97N势垒的多量子阱结构基础上，设计了一种组分阶梯(composition step-graded, CSG)InGaN势垒多量子阱结构，提高了激光二极管的斜率效率和电光转换效率，增加了光场限制能力。仿真结果表明，当注入电流为120 mA时，具有CSG InGaN势垒的多量子阱结构，电光转换效率从17.7%提高至19.9%,斜率效率从1.09 mW/mA增加到1.14 mW...
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| 关 键 词： | 绿光激光二极管 光电性能 In组分 组分阶梯InGaN势垒 斜率效率 电光转换效率 |
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