| (AlxGa1-x)2O3结构、电子和光学性质的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 高妍,董海涛,张小可,冯文然.(AlxGa1-x)2O3结构、电子和光学性质的第一性原理研究[J].人工晶体学报,2023(9):1674-1680+1719. |
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| 作者姓名： | 高妍 董海涛 张小可 冯文然 |
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| 作者单位： | 北京石油化工学院新材料与化工学院 |
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| 摘 要： | 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了不同Al掺杂浓度β-Ga2O3(即(AlxGa1-x)2O3)的晶体结构、电荷密度分布、能带结构、态密度和光学性质，并对本征β-Ga2O3和不同Al掺杂浓度的β-Ga2O3的计算结果进行了分析对比。结果表明，随着Al掺杂浓度的增加，(AlxGa1-x)2O3的晶格常数和键长均单调减小，而带隙逐渐增大。β-Ga2O3导带底上方存在主要由Ga 4s和Al 3p轨道组成的中间带，Al掺杂在此中间带引入杂质能级，从而导致带隙增加。同时，Al的引入使态密度向高能侧偏移了近3 eV,也导致了带隙的增加。根据光学性质的计算结果，在掺杂Al后，介电函数的虚部和吸收系数均观察到明显的蓝移现象。这是由价带顶中的O 2p...
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| 关 键 词： | 第一性原理 掺杂 Al掺杂β-Ga2O3 能带结构 电子结构 光学性质 |
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