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| 掺砷多晶硅的热氧化 | |
| 引用本文： | 吴正立 严利人. 掺砷多晶硅的热氧化[J]. 微电子学, 1996, 26(3): 192-194 |
| 作者姓名： | 吴正立 严利人 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所 |
| 摘 要： | 在ＥＥＰＲＯＭ的研制中，为了研究掺砷多晶硅与单晶硅氧化的相对关系，进行了８００℃湿氧氧化和１０００℃干氧氧化实验，结果表明，经过工艺优化，选择适当的工艺方案，获得了较理想的多晶硅与单晶硅氧化速率比。 |
| 关 键 词： | EEPROM 半导体工艺 多晶硅 热氧化 掺杂 |
Thermal Oxidation of Arsenic-Doped Polysilicon in EEPROM Process |
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| WU Zhengli,YAN Liren,WANG Jimin,JIANG Zhi,FEI Gulfu,WANG Meirong and QIAO Zhonglin. Thermal Oxidation of Arsenic-Doped Polysilicon in EEPROM Process[J]. Microelectronics, 1996, 26(3): 192-194 | |
| Authors: | WU Zhengli YAN Liren WANG Jimin JIANG Zhi FEI Gulfu WANG Meirong QIAO Zhonglin |
| Abstract: | |
| Keywords: | Memory IC EEPROM Semiconductor process Polysilicon Thermal oxidation |
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