| 应变Si1-x Gex pMOSFET反型沟道空穴低场迁移率模型 |
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| 引用本文： | 张雪锋,徐静平,邹晓,张兰君.应变Si1-x Gex pMOSFET反型沟道空穴低场迁移率模型[J].半导体学报,2006,27(11). |
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| 作者姓名： | 张雪锋 徐静平 邹晓 张兰君 |
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| 作者单位： | 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074 |
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| 摘 要： | 在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,提出了一个半经验的应变Sil-xGex/Si pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型.在该模型中,给出了迁移率随应变的变化,并且考虑了界面陷阱电荷对载流子的库仑散射作用.利用该模型对室温下空穴迁移率随应变的变化及影响空穴迁移率的因素进行了分析讨论.
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| 关 键 词： | p-MOSFET 应变 Si1-x Gex 空穴迁移率 |
A Low-Field Hole Mobility Model of Strained Si1-xGex pMOSFET |
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| Zhang Xuefeng,Xu Jingping,Zou Xiao,Zhang Lanjun.A Low-Field Hole Mobility Model of Strained Si1-xGex pMOSFET[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(11). |
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| Authors: | Zhang Xuefeng Xu Jingping Zou Xiao Zhang Lanjun |
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