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| X波段PHEMT功率单片放大器 | |
| 引用本文： | 张书敬,杨瑞霞,武继斌,杨克武. X波段PHEMT功率单片放大器[J]. 半导体学报, 2006, 27(10): 1800-1803 |
| 作者姓名： | 张书敬 杨瑞霞 武继斌 杨克武 |
| 作者单位： | 1. 河北工业大学信息工程学院,天津,300130;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 2. 河北工业大学信息工程学院,天津,300130 3. 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 |
| 摘 要： | 报道了X波段8W AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT MMIC功率单片放大器的设计和研制.放大器采用两级拓扑结构,输入输出为50Ω阻抗匹配,芯片面积为4.5mm×3mm.测试结果显示,在7.5V和1.5A的DC偏置下,输出功率在8W以上,功率附加效率为30%,功率增益为15dB. |
| 关 键 词： | PHEMT X波段 MMIC 功率放大器 |
| 收稿时间： | 2015-08-18 |
| 修稿时间： | 2006-05-31 |
An X-Band PHEMT MMIC Power Amplifier |
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| Zhang Shujing, Yang Ruixia, Wu Jibin, Yang Kewu. An X-Band PHEMT MMIC Power Amplifier[J]. Journal of Semiconductors, 2006, In Press. Zhang S J, Yang R X, Wu J B, Yang K W. An X-Band PHEMT MMIC Power Amplifier[J]. Chin. J. Semicond., 2006, 27(10): 1800.Export: BibTex EndNote | |
| Authors: | Zhang Shujing Yang Ruixia Wu Jibin Yang Kewu |
| Affiliation: | School of Information Engineering,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China;The 13th Research Institute,China Electronics Technology Group Corporation,Shijiazhuang 050051,China;School of Information Engineering,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China;The 13th Research Institute,China Electronics Technology Group Corporation,Shijiazhuang 050051,China;The 13th Research Institute,China Electronics Technology Group Corporation,Shijiazhuang 050051,China |
| Abstract: | This paper describes the design,fabrication,and performance of an X-band 8 W AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT MMIC power amplifier.With a two-stage topology design,this amplifier is designed to fully match a 50Ω input and output impedance.The area of chip is 4.5mm×3mm.With 7.5V and 1.5A DC bias conditions,an output power of 8W,power added efficiency of 30%,and power gain of 15dB are achieved. |
| Keywords: | PHEMT X-band MMIC power amplifier |
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