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热处理对透明导电CdIn_2O_4薄膜光电性质的影响
引用本文:蒋生蕊,彭栋梁,李斌,王万录.热处理对透明导电CdIn_2O_4薄膜光电性质的影响[J].真空科学与技术学报,1993(2).
作者姓名:蒋生蕊  彭栋梁  李斌  王万录
作者单位:兰州大学物理系,兰州大学物理系,兰州大学物理系,兰州大学物理系 兰州 730000,兰州 730000,兰州 730000,兰州 730000
摘    要:在Ar、O_2混合气氛中射频反应性溅射Cd-In合金靶,制备了透明导电CdIn_2O_4(简称CIO)薄膜。研究了热处理对CIO薄膜的电学和光学性质的影响。实验结果表明,沉积后的热处理使CIO膜的电阻率均进一步减小,获得的薄膜最低电阻率为2.9×10~(-6)Ω·m,可见光区域最高透光率约为90%。在CIO膜的透射和反射谱中,观察到大的Burstein移动,并根据CIO膜的光学数据计算的热处理前后的光隙能值分别为2.46eV和2.63eV。

关 键 词:热处理  光电特性  CdIn_2O_4薄膜

THE EFFECT OF HEAT TREATMENT ON THE EIECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF TRANSPARENT AND CONDUCTIVE CdIn_2O_4 FILMS
Jiang Shengrui,Peng Dongliang,Li Bin,Wang Wanlu.THE EFFECT OF HEAT TREATMENT ON THE EIECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF TRANSPARENT AND CONDUCTIVE CdIn_2O_4 FILMS[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,1993(2).
Authors:Jiang Shengrui  Peng Dongliang  Li Bin  Wang Wanlu
Abstract:
Keywords:Heat treatment  Electrical and optical feature  CdIn_2O_4 film  
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