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绝缘栅双极型晶体管IGBT的保护
引用本文:陈秀华,李忠明. 绝缘栅双极型晶体管IGBT的保护[J]. 辽宁大学学报(自然科学版), 2012, 39(4): 350-353
作者姓名:陈秀华  李忠明
作者单位:辽宁石化职业技术学院,辽宁锦州,121001
摘    要:主要阐述绝缘栅双极型晶体管IGBT在应用过程中的具体保护措施,利用缓冲电路对过电压与过电流及其变化率进行保护.介绍如何正确选择驱动电路以及EXB841驱动电路的保护工作过程,给出保护电路相关元器件的参数计算与选择方法,为IGBT安全可靠工作提供保障.

关 键 词:IGBT  保护电路  缓冲电路  过电压  过电流  驱动

The Protective of Insulated Gate Bipolar Transistor
CHEN Xiu-hua , LI Zhong-ming. The Protective of Insulated Gate Bipolar Transistor[J]. Journal of Liaoning University(Natural Sciences Edition), 2012, 39(4): 350-353
Authors:CHEN Xiu-hua    LI Zhong-ming
Affiliation:(Liaoning Petro-chemical Vocational Technical College,Jinzhou 121001,China)
Abstract:
Keywords:
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